recozido-estado

Em relação ao cubo de nióbio no estado-recozido, após processamento e corte a frio, o cubo de nióbio reterá uma grande quantidade de tensão interna de corte, deslocamentos de rede, impurezas de adsorção de hidrogênio-oxigênio, etc.;
Para resolver esse problema e eliminá-los, o cubo de nióbio é submetido ao tratamento de estado -recozido. O cubo de nióbio em estado -recozido refere-se ao cubo acabado em uma atmosfera de hidrogênio de alto vácuo/alta{3}}pureza que passa por tratamento térmico de retenção de temperatura de 800 a 1250 graus-alta, resfriamento lento-com temperatura controlada, completando os quatro processos de alívio de tensão, recristalização, desgaseificação a vácuo e redução de superfície e remoção de óxido, e então se torna um material evaporado em estado-macio. É o grau designado para OLED, óptica e revestimento de evaporação de semicondutores-de alta tecnologia, diferente do cubo de nióbio não-recozido-de estado endurecido a frio.

1. Atmosfera: Recozimento a vácuo (melhor que 1×10⁻³ Pa) ou recozimento brilhante de hidrogênio de alta pureza-; Isolar do ar para evitar absorção de oxigênio e oxidação em altas temperaturas

2. Faixa de temperatura
◦ Recozimento de alívio de tensão: 800–900 graus, elimina a tensão de corte, remove o hidrogênio adsorvido na superfície e o vapor de água
◦ Recozimento de recristalização completo: 1050–1300 graus, refina o tamanho do grão, libera completamente as impurezas da rede

3. Processo: Manutenção de alta-temperatura → Resfriamento lento controlado por temperatura gradiente → Resfriamento à temperatura ambiente no forno → Desengorduramento e limpeza → Embalagem selada a vácuo

1. Remova completamente os gases internos, com volume de descarga de gás na cavidade extremamente baixo, garantindo alta estabilidade de vácuo. Durante o processamento a frio do nióbio, a rede interna reterá H₂, N₂ e vestígios de vapor de água. Durante o bombardeio de alta-temperatura por feixe de elétrons, ocorre uma descarga contínua de gás, causando flutuações no nível de vácuo da cavidade e o aparecimento de furos, neblina e diferenças de cor no filme.

A desgaseificação profunda é concluída sob recozimento de alta-temperatura: uma grande quantidade de hidrogênio, água adsorvida e gases de impureza intersticial são liberados, reduzindo significativamente o pico de liberação de gases do processo de evaporação a vácuo, mantendo o vácuo da cavidade estável e melhorando significativamente o rendimento de filmes ópticos multi-camadas e camadas de barreira semicondutoras.

2. Elimine a tensão residual de corte, sem rachaduras ou respingos durante a evaporação em alta-temperatura. O nióbio endurecido a frio não recozido-concentrou o estresse interno. Durante o aquecimento local-de alta temperatura por feixe de elétrons, a tensão é liberada, resultando em rachaduras de partículas e respingos de detritos, contaminando o cadinho e o substrato, causando mudanças repentinas na espessura do filme e acelerando a perda de material alvo. Após o recozimento, a rede se reconfigura e a tensão é completamente liberada, tornando o material mais macio e dúctil; sob bombardeio por feixe de elétrons de longa-alta-temperatura, todo o material é aquecido uniformemente, sem rachaduras ou fragmentação, e a taxa de evaporação é linearmente estável, com repetibilidade consistente e consistência na espessura do filme, adequada para linhas de produção de painéis contínuos.

3. Remova a camada de óxido superficial, reduzindo as impurezas de oxigênio no filme. O nióbio à temperatura ambiente forma facilmente uma camada vestigial de óxido de Nb₂O₅. A evaporação da matéria-prima não recozida causa a evaporação simultânea de óxidos, resultando em teor excessivo de oxigênio no filme metálico de nióbio e diminuição da condutividade; ao preparar filmes ópticos de Nb₂O₅, há uma flutuação do índice de refração e uma mudança espectral. O recozimento de hidrogênio pode restaurar a camada de óxido da superfície, o recozimento a vácuo leva o oxigênio da superfície a se difundir uniformemente no substrato, resultando em uma superfície limpa sem camada de óxido livre, conteúdo controlável de impurezas no filme evaporado, forte consistência de lote de parâmetros ópticos e parâmetros condutores e adequação para revestimento óptico de alta{4}}precisão e deposição de filme semicondutor.

4. Refinamento uniforme de grãos, condução de calor uniforme, taxa de evaporação estável e controlável. Os grãos de nióbio-processado a frio são distorcidos e de tamanho irregular, com diferenças significativas na condução de calor local. Durante o bombardeio por feixe de elétrons, ocorre super-derretimento local ou evaporação insuficiente; após o recozimento, a recristalização é concluída, formando uma estrutura equiaxial de granulação fina-, com condutividade térmica balanceada em partículas cúbicas, e todo o lote de materiais no cadinho vaporiza simultaneamente, eliminando a necessidade de ajuste frequente da potência do feixe de elétrons, reduzindo custos de depuração do processo e sendo adequado para revestimento óptico de alta-precisão e deposição de filme semicondutor.

5. Resistente à deformação-de alta temperatura, não sujeito a colapso ou deformação durante a evaporação-de longo prazo. O nióbio recozido melhorou a plasticidade e aumentou a estabilidade estrutural em altas-temperaturas. O cadinho não amolecerá e entrará em colapso ou formará grumos após residência em alta-temperatura-de longo prazo, e a densidade de enchimento permanecerá inalterada, reduzindo a frequência de tempo de inatividade da máquina para reabastecimento de material e melhorando a taxa de utilização da linha de produção; em comparação com o nióbio duro, a vida de evaporação contínua aumenta em mais de 30%.

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